Kamal EL BOUBKARI

En résumé

Entreprises

• Laboratoire IMS - Ingénieur recherche

  2013 - maintenant PROJET REAGAN (Reliability Assessment of GaN technologies: Development of an innovative methodology for physical and electrical analysis at the device scale) UMS, THALES R&T , DGA, IMS
  * Mission : Développer une méthodologie pour établir des modèles de défaillances à partir d'étude expérimentales. Valider les origines d'effets parasites affectant les performances électriques. Différents modèles de mobilités de porteurs seront étudiés via la simulation par éléments finis.
  * Mots-clés: HEMTs, GaN, Fiabilité, Physique des semi-conducteurs, Analyses de défaillances, Modélisation/Simulation, Circuit Electronique, TCAD (Device, Process)

• ENCADREMENT DE - STAGE

  2011 - 2012 * Mission : Evaluer la contrainte générée dans le réseau cristallin (deux orientations) sur le comportement électrothermique de la diode de puissance en régime statique et transitoire (commutation).
  * Mots-clés: Diode PIN, Contraintes mécanique, Cristallographie, Semi-sondcuteur,
  Traction, Banc d'essai, Mesures électriques, Electronique de puissance, TCAD.

• LABORATOIRE IMS - Semi-conducteur

  2010 - 2013 PROJET FIDEA (Fiabilité et le Diagnostic des Composants Electroniques de Puissance pour applications Automobiles) Partenaires: IMS, LAAS, SATIE, P', IES, PSA, FREESCALE, MICROSEMI, IFSTTAR
  * Mission : Evaluer la robustesse des composants de puissance (IGBT, MOSFET) en régime extrêmes de fonctionnement (mode de court-circuit) pour applications dans les véhicules hybrides et électriques.
  Identification et évolution des différents indicateurs de vieillissement afin d'établir des modèles de mécanismes de dégradation.
  * Mots-clés: Puissance, Fiabilité, Performances électriques, Robustesse, Banc d'essai, Tests Electriques, Thermographie Infrarouge, Modélisation prédictives, Simulation électrothermique, Semi-conducteur, TCAD (Device, Process), Silicium. ;

• Laboratoire IMS - Ingénieur électronique

  2009 - maintenant

Formations

• Ims

  Talence 2009 - 2012 Doctorat
  
  THESE EN SCIENCES PHYSIQUES SPECIALITE ELECTRONIQUE Laboratoire
  (Mention très honorable avec félicitations du jury)
  * Sujet : Impact de la modélisation physique bidimensionnelle multicellulaire du composant semi-conducteur de puissance sur l'évaluation de la fiabilité des assemblages appliques au véhicule propre. ;

• Université De Bordeaux/ENSEIRB

  Talence 2008 - 2009 Master microélectronique
  
  PROJET DE FIN D'ETUDE (Master microélectronique) * Sujet de stage : Elaboration d'un circuit de test dynamique pour IGBT en vue d'une modélisation uni et multicellulaire par éléments finis.
  * Objectif : Réalisation d'un banc de test afin de caractériser les composants IGBTs en dynamique (commutation dure) après une analyse du comportement des IGBTS en statiqu

• Université Bordeaux

  Talence 2007 - 2008 MASTER 1ERE ANNEE
  
  * Spécialité électronique, parcours électronique intégrée ;

• Université Bordeaux 1 Sciences Et Technologies

  Talence 2004 - 2009

Réseau

• Hassene KRAÏMIA

• Regis REBOUL