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Mohamad MHANNA

TOULOUSE

En résumé

Mon objectif de carrière est de poursuivre l’extension de mes compétences dans le domaine d’électronique dans la conception des circuits analogiques et numériques en concevant un travail responsabilisant et à fortes composantes relationnelles.
Je souhaiterais évoluer dans le domaine de la conception l’intégration jusqu’aux tests et validation des composants et circuits ou, de par ma solide compétence en microélectronique, dans celui de la conception et design de circuits intégrés en deux vue layout et schématic, ainsi la fabrication dans la salle blanche

Mes compétences :
Semi conducteur
Microélectronique
Salle blanche
Circuit intégré
Programmation FPGA
Caracterisation de transistor
Cadance
Design layout

Entreprises

  • Freescale Semiconductor, Toulouse, France - Ingénieur Process, microélectronique(salle blanche)

    2012 - maintenant - Gravure humide sur DNS Spray Etcher. Gravure d’aluminium et d’interconnexion
    - Assurer la continuité de la production tout en garantissant sa qualité
    - Suivi du procédé par méthode statique (contrôle de vitesse d’attaque).
    - Validation en vue de l’industrialisation du produit
    - Gestion quotidienne des pannes et problèmes rencontrés par les techniciens et les opérateurs
    - Amélioration des rendements et renforcement des procédés existant
    - Contrôle les plaques après gravure
    - Coordinateur gravure en SPC Statistical Process Control, 6 sigmas
    - Modification de recette de gravure par rapport à chaque technologie

  • STMicroelectronics - Stagiaire: Caractérisation de transistor MOSFET octogonaux pour circuits analogiques

    2011 - 2011 Caractérisation de transistor MOSFET octogonaux pour circuits analogiques
    • Étude bibliographique de l’effet hump, Matching, Dégradation porteur chaux, Dégradation NBTI, Snap back.
    • Etude de l’impact des dimensions sur le comportement électrique (VT, IDlin, IDsat, IOFF).
    • Étude de la fiabilité et durée de vie du transistor.
    • Design Layout de plusieurs types de transistor MOS (octogonal, multifinger, circulaire, forme huit) pour supprimer l’effet hump
    • design de structure MOS pour mesurer la fiabilité.
    • Modification le design des plusieurs schémas pour valider le nouveaux règle de design appliqué au nouveau types de transistor MOS

  • Laboratoire de physique corpusculaire, Clermont Ferrand, France - Conception d'un amplificateur CMOS en technologie 130nm IBM pour une expérience de physique

    2010 - 2010 • Etude bibliographique sur les caractéristiques des transistors MOS
    • Étude de l’amplificateur différentiel et le miroir de courant et ses caractéristiques. La démarche pour augmenter son gain.
    • Simulation sous Cadance Analog Artist des structures amplificatrices

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