Mohamed AKANI

En résumé

Entreprises

• Commission scolaire de Montreal, Canada - Professeur en science physique

  2000 - maintenant

• École polytechnique de Montréal, Canada - Chargé de cours et chercheur

  1997 - 2000 École Polytechnique de Montréal,
  1-Chargé de cours au département des sciences des matériaux. Responsable du cours et travaux dirigés de deuxième année ‘Les propriétés électroniques des matériaux’.
  2-Élaborer un projet de recherche et développement pour l’École Polytechnique de Montréal sur les piles à combustible zinc/air destinées aux véhicules électriques. Le projet de recherche sur les piles à combustible zinc/air conduit à la mise au point d’une pile selon un concept original permettant la recharge en moins de dix minutes. L’étude est réalisée en partenariat avec le laboratoire d'électrochimie et des matériaux énergétiques de l’École Polytechnique de Montréal.

• Université de Karlsruhe, Allemagne - Chercheur-invité

  1993 - 1996 Laboratoire d’Électrochimie et de Chimie-Physique, Université de Karlsruhe, Allemagne. 1993-94
  Responsabilités
  ·Caractériser physiquement et électriquement les interfaces supraconducteurs/semi-conducteurs.
  ·Analyser et interpréter l’évolution des mécanismes de transport électronique à basse température de l'hétérojonction P-type-YBa2Cu3O7-d (92° K)/N-type-Si.
  Réalisations
  Le travail effectué a permis la correction des résultats obtenus auparavant dans une autre étude et de clarifier d’une façon approfondie les phénomènes de transport électronique dans le même type d’hétérojonctions. Nous avons démontré aussi que le paramètre de rectification dans les diodes supraconductrices est multiplié par 1000. Travail publié dans la revue Physica-C, 1995.

• Université des sciences et technologie d'Oran, Algérie - Professeur-chercheur

  1986 - 1995 1-Laboratoire de Microscopie Électronique et des Matériaux. 1990-93
  Responsabilités
  ·Rechercher et synthétiser des matériaux supraconducteurs de haute température critique.
  ·Analyser l’effet du dopage sur la phase hautement supraconductrice.
  ·Encadrer les étudiants en stage.
  Réalisations
  Dans notre travail sur le composé supraconducteur à base de bismuth, nous avons démontré que le dopage au plomb permet d’augmenter en volume la phase hautement supraconductrice et d’améliorer la stabilité dans le temps des propriétés supraconductrices.
  
  2- Laboratoire de physique des semi-conducteurs.1986-90
  Responsabilités
  .Caractériser physiquement et électriquement les interfaces P+-Si-poly/N-Si-c réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore.
  .Corréler les mécanismes de transport électroniques aux paramètres technologiques.
  Réalisations
  Nous avons démontré dans cette étude que le dopage in situ au bore permet une meilleure cristallisation des films à basse température de dépôt comparativement aux films dopés au phosphore. Les meilleurs paramètres technologiques ont été aussi déterminés grâce à leur corrélation aux mécanismes de transport. Cette technique de dépôt est maintenant utilisée dans l’industrie électronique et permet la fabrication de transistors de gain 10 fois plus élevé par rapport à ceux fabriqués à partir de films dopés in-situ au phosphore.
  Travail publié dans la revue: Journal de Physique III, Paris 1993.
  
  3.ENSEIGNEMENT
  ·Professeur responsable des cours de sciences physiques au premier et deuxième cycle universitaire.
  ·Encadrement des étudiants en stages.

Formations

• Université Paris 6 Pierre Et Marie Curie

  Paris 1982 - 1986 matériaux électroniques