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Nicolas VAISSIERE

PARIS

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Entreprises

  • CNRS GEMaC Versailles - CDD Ingénieur de Recherche

    2014 - 2015 Croissance de diamant homoépitaxié et dopage pour l'électronique
    - Mise en œuvre de la technologie MOCVD sur réacteur commercial Plassys ;
    - Etudes de l'influence des impuretés (azote, bore, silicium) sur :
    propriétés cristallographiques, chimiques, morphologiques, optiques et
    électriques de couches minces de diamant dopé au phosphore
    + Suivi projet ANR blanc HIRIS (analyse de l'influence des défauts cristallins)
    collaboration : CEA LIST (Saclay), LSPM (Villetaneuse) et INL (Lyon)
  • CEA/LIST - Doctorant

    2011 - 2014 Croissance du diamant hétéroépitaxié sur iridium pour la radiothérapie
    - Bibliographie, veille technologique et scientifique ;
    - Conception et mise en œuvre d'un bâti de dépôt couches minces (22 000 EUR ) ;
    - Etude des mécanismes de nucléation du diamant par analyse d'images ;
    - Maîtrise de la croissance MPCVD du diamant de haute qualité cristalline ;
    - Caractérisation physico-chimique de couches minces + Technologie ultra-vide ;
    - Intégration du diamant en tant que détecteur à rayons X (test et amélioration) ;
    - Notions des techniques de management (5S, TRL)
    + Participation rédaction projet ANR blanc HIRIS accepté en 2012 (599 370 EUR )
  • CNRS IMN Nantes - Stagiaire

    2008 - 2010 Modélisation de l'intéraction plasma/surface lors de gravures ICP ;
    - Gravure de cristaux photoniques en salle blanche
    Projets menés au cours du cycle Master (3 x 30h)
    - Croissance de nanotubes de carbone par PECVD (condensateurs) ;
    - Dépôts de couches minces par PVD magnétron (mémoires RRAM) ;
    - Gravure chimique du silicium par voie liquide

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