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Chamssedine BERRACHED

Paris

En résumé

Titulaire d'une thèse Cifre (12/2013) chez United Monolithic Semiconductors (joint ventrue Thales & Airbus group) en collaboration avec le laboratoire Xlim de Limoges, mon sujet de thèse traite de la conception d'amplificateur de puissance large bande à haut rendement en technologie GaN.

Ces travaux ont conduit à la réalisation d'amplificateur de puissance avec des résultats à l'état de l'art mondial. Cette thèse m'a permis d'acquérir les compétences et l'expertise nécessaire à la conception de fonction hyperfréquence.

Je suis aujourd'hui à la recherche de nouvelles opportunités dans le secteur de la conception R&D hyperfréquence.

Mes compétences :
Hyperfréquence
Radiofréquences
Amplificateurs à haut rendement
Agilent ADS, Momentum

Entreprises

  • Alcatel Lucent - Ingénieur RF

    Paris 2014 - maintenant

  • United Monolithic Semiconductors - Ingénieur Doctorant Hyperfréquence

    2010 - 2013 Conception d'amplificateur de puissance large bande à haut rendement en nitrure de gallium.
    HPA 40W hybride 1-3GHZ.
    HPA 25W Quasi-MMIC 2-4GHz.
    HPA 50W Quasi-MMIC Équilibrée 2-4GHz.
    Compétences : Amplificateur large bande, amplificateur à haut rendement (classe F, J, E...), architecture distribue, push-pull, Doherty ...
    Logiciels : ADS, momentum, Cadence virtuoso, Scilab.

  • Centre National d'Etudes Spatiales (C.N.E.S.) - Ingénieur d'étude hyperfréquence

    Paris 2009 - 2009 Stage de fin d'étude : conception d'un étage amplificateur 10W hybride à haut rendement (classe F) fondé sur un transistor Eudyna.

  • Ecus Ondulique - Technicien Électrique

    BRIE 2006 - 2006 Réalisation et fabrication d'une armoire de test pour onduleur de très forte puissance (puissance 30 KVa)

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