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Gaëtan NAUD

Saint-Romain-en-Gal

En résumé

Après avoir effectué un DRI ( Diplôme de recherche et d'innovation) au CEA-LETI dans le domaine de la micro-électronique, je suis actuellement Ingénieur Qualité Production en charge d'une ligne de process certifiée ISO 9001 et ISO 14001 chez Ferinox ( Leader du recyclage des métaux).

Mes compétences :
MEB
Salle blanche
Nanotechnologies
Manipulation de produits dangereux (acide,base)
Chimie
Caratérisation
Laboratoire de Recherche
R&D
TXRF

Entreprises

  • Ferinox - Ingénieur Qualité Production

    Saint-Romain-en-Gal 2017 - maintenant - Responsable d'une ligne de production :
    * Dégraissage et broyage de copeaux métalliques
    * Management d'une équipe de 4 opérateurs
    * Maintenance de la ligne
    * Optimisation de la ligne ( augmentation de la capacité de production)

    - Responsable qualité, sécurité, environnement des normes ISO 9001 et ISO 14001 :
    * Suivi des plans d'actions et des indicateurs qualité
    * Interlocuteur principal lors des audits internes et externes

    - Analyse des éléments traces par spectroscopie d'absorption atomique :
    * Élaboration des certificats d'analyse des marchandises

  • CEA-LETI - Ingénieur en micro et nano-technologies

    GRENOBLE 2014 - 2016 Optimisation et développement des mesures TRXF ( Total Reflexion X-ray Fluorescence) et ICPMS ( Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy) pour l'étude de la contamination métallique dans les systèmes III/V (GaAs, InP etc )

    Développement et optimisation de méthodes de caractérisations de la contamination métallique sur matériaux III-V (AsGa et InGaAs) par TXRF

    Développement d’une méthode de gravure pour le suivi de l’impact de la contamination métallique par ICPMS sur matériaux III-V (InP et InGaAs)

    Caractérisation de substrats neufs (TXRF, Ellipso mètre, AFM, Surfscan SP2, Mesure angle de goutte)

    Etude d'impact de la contamination métallique sur les propriétés de l' InGaAs

  • Laboratoire nanotechnologies nanosystemes université de Sherbrooke - Stagiaire

    2013 - 2013 Sujet de stage: Caractérisation structurale de semi-conducteurs III-V élaboré par épitaxie.
    -Elaboration de méthodes d'attaques chimique révélant les dislocations dans les cellules GaAs sur substrat de silicium.
    -Caracterisation des cellules par DRX (diffraction des rayons x).
    -Utilisation du logiciel de simulation DRX Lepsos
    -Porosification de substrats de Germanium par electrochimie dans un electrolyte d'acide fluorhydrique. Etude de l'influence de différents paramètres (temps d'électrolyse, concentration de l'electrolyte, taille du substrat ...)

  • Munksjo - Stagiaire

    2012 - 2012 -Transfert de méthode de dosage de différents additifs sur spectromètre UV-Visible
    -Acquisition d'une bibliothèque de spectre de différents minéraux par MEB-EDX

  • Arkema - Stagiaire

    Colombes 2009 - 2009 - Analyse par absorption atomique de flamme de la quantité de Fer,Nickel et Zinc dans la
    ligne de production d'eau de javel
    - Dosage par colorimétrie des ions Ag+ présent dans la javel
    - Etude quantitative de composés organiques par la spectroscopie d'UV-visible

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