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Rezki OUHACHI

VILLENEUVE D'ASCQ

En résumé

5 ANS D’EXPERIENCE en Microélectronique RF, avec une solide expérience en modélisation de dispositifs actifs et développement de bancs de caractérisations. Autonome, avec un excellent sens du travail d’équipe, je suis mobile et disponible dans l’immédiat.

Mes compétences :
Automatique
Microélectronique
Électronique
Programmation LaBview
Matlab
VHDL - ams
Orcad Pspice
Programmation c
Mathcad
Microsoft Office
Comsol
Silvaco
Advanced Design System (ADS)
stations sous pointes RF et DC
HEMTs GaN
ICCAP
Analyseurs de réseaux vectoriels
HBT Si/SiGe:C
Systèmes « Load-Pull »

Entreprises

  • Amcad Engineering - Ingénieur Modélisation RF

    2016 - maintenant Caractérisations de dispositifs actifs, (S-paramètres, I (V), pulsé & CW, Load-pull et mesures thermiques),

    • Développement de modèles compacts RF (FET GaN, NMOS, HBTs SiGe),
    • Livraison de Design Kits suivant les cahiers des charges,
    • Rapports/supports technique.

  • PROJETS INDEPENDANTS – Expertise académique & scientifique - Expertise académique & scientifique

    2015 - maintenant • Intervenant enseignements chez ACADOMIA (HEI, ISEN, Prépa, Ecoles d’Ingénieurs)
    • Formateur bénévole à L’UFJ (Initiation en programmation JAVA, cours de guitare)
    • Reviewer pour le journal scientifique MDPI ( Molecular Diversity Preservation
    International)

  • Institute d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie - INGENIEUR DE RECHERCHE – Fabrication/Caractérisation/Modélisation de dispositifs

    2012 - 2014 • Fabrication de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur Si
    • Caractérisation et modélisation RF

  • CNRS - DOCTEUR INGENIEUR – Systèmes de mesure RF/Modélisation de dispositifs

    Paris 2009 - 2012 Développement de programmes de tests pour systèmes de caractérisation RF
    • Systèmes Load-pull jusqu’à 50 GHz
    • Automatisation sous LabVIEW
    • Programmation d’outils de test et d’extraction des performances (LabVIEW)

    Caractérisation/modélisation grand signal de transistors HBTs SiGe
    • Modèle grand et petit signal RF jusqu’à to 50 GHz

    Analyse des performances en puissance de la technologie 28 nm CMOS
    • Caractérisations en configuration Load-Pull
    • Analyse pour différents développements

  • LAAS-CNRS , Toulouse - Stagiaire

    Toulouse 2009 - 2009 * Caractérisation de condensateurs Métal-Isolant-Semi-conducteur (MIS) avec ZrO2
    comme diélectrique à forte permittivité
    * Caractérisations électriques et analyses comportementales des capacités jusqu'à 10 MHz.
    * Design de schémas électrique équivalents sur Orcad PSPICE.

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