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Benoît AMSTATT

GRENOBLE

En résumé

Ingénieur diplômé en 2004 de l'Ecole Nationale Supérieure de Physique de Grenoble, options Matériaux fonctionnels et Nanophysique, spécialisation Physique des nanostructures et des grands instruments.


Doctorat de physique des matériaux, université Joseph Fourier Grenoble 1.

Mes compétences :
Epitaxie
Gestion de projet
Infra rouge
Maintenance
Microscopie
Nanotechnologie
Process
Production
Semiconducteurs
Suivi de production

Entreprises

  • LETI/DOPT/STM/LMS - Ingénieur Caractérisation

    2009 - maintenant Mission: Déterminer les causes de variation de process
    - Caractérisation de plaques à base de matériaux II-VI réalisés par Epitaxie par Jets Moléculaires
    - Etude des défauts en lien avec le process de fabrication
    - Suivi de caractérisation/réalisation d'une base de données
    - Intervention sur les bâtis/maintenance
    - Reporting

    Réalisation:
    - Mise en place de routines de caractérisations permettant une diminution du nombre de plaque d'essai avant campagne de production (4000 euros d'économie par mois)
    - Mise en place de caractérisations complémentaires (FIB, TEM)
    - Analyse de données et mise en évidence de problèmes de régulation thermique
    - Validation de nouvelles briques technologiques aboutissant à des démonstrateurs

  • Thalès XRIS Moirans - Ingénieur Process

    2008 - 2009 Missions:
    - Automatiser et transférer un process de dépôts de couches minces (projet lean manufacturing)
    - Support production

    Réalisation
    * Planification des tests en phase avec la production
    * Qualification des automates
    * Optimisation de process
    * Rédaction de documentation technique
    * Négociation avec le fournisseur
    * Modification du cahier des charges
    * Etude et optimisation du process
    * reporting sur l'avancement du projet
    * Responsable atelier (10 personnes)
    * Mises en place d'actions correctives lors de dérives de process
    * Formation d'opérateurs

  • NOVASiC/CEA Grenoble - Ingénieur R&D

    2004 - 2008 Thèse CIFRE: Croissance d'hétérostructures non polaires de GaN/AlN plan m sur 6H-SiC.

    Mission:
    - Elaborer et caractériser des hétérostructures à base de nitrures par épitaxie par jets moléculaires
    - Etre Responsable d'équipement (bâti de dépôt et diffractomètre haute résolution)

    Réalisation:
    - Mise au point de process (élaboration et caractérisation)
    - Elaboration de modèles de croissance
    - Validation de process de gravure de substrats d'AlN et de SiC
    - Validation de polissage de substrat
    - Collaborations internationales
    - Publications
    - Maintenance d'équipements (contact fournisseur)
    - Rédaction de documents techniques et de procédures à suivre
    - Formation et encadrement de stagiaires

Formations

Réseau

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