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Camille PETIT-ETIENNE

Paris

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En résumé

Ingénieur de recherche CNRS au Laboratoire de Technologie pour la Microélectronique à Grenoble. J’y effectue un travail de recherche appliquée au sein de l’équipe gravure, sur un bâti industriel de gravure plasma dans la salle blanche du LETI sur diverses thématiques.

Mes compétences :
Microélectronique
Plasma à pression atmosphérique de type DBD
Gravure par plasma
plasma basse pression
MEB
XPS
ellipsométrie

Entreprises

  • UPMC

    Paris maintenant

  • Laboratoire de Technologie pour la Microélectronique / UJF / CNRS - Ingénieur de Recherche

    2008 - maintenant Gravure plasma sur des wafers de silicium 300 mm dans un bâti industriel (Aplied Material)
    - Diminution des dommages causés au Si lors des gravures grâce aux plasmas pulsés
    ­Optimisation du procédé de gravure ALE (Atomic Layer Etching)
    ­Réduction du Si recess jusqu’à 8 Å lors du procédé d’overetch par plasmas pulsés synchronisés
    ­Caractérisation physico-chimique : XPS, ellipsométrie spectroscopique et cinétique
    ­Valorisation des travaux de recherche (articles, conférences internationales)
    - Gravure profonde du silicium par procédé plasma
    ­Développement et caractérisation du procédé (XPS, MEB, ellipsométrie, spectrométrie de masse, spectroscopie d’émission optique)
    ­Encadrement d’un doctorant (thèse Cifre ST Microelectronics)
    - Optimisation du procédé de gravure pour l’obtention de motifs de half-pitch 10 nm par « spacer patterning » sur résine
    - Vacation : TP XPS Polytech’Grenoble

  • Université Pierre et Marie Curie/ENSCP - Chercheur doctorante

    2003 - 2007 Dépôt d’oxyde de silicium par procédé plasma hors équilibre à basse pression et pression atmosphérique sur de l’acier : application aux propriétés anti-corrosion.
    ­Optimisation des procédés plasmas de dépôt à basse pression et à pression atmosphérique.
    ­Evaluation des propriétés de protection vis-à-vis de la corrosion par des méthodes électrochimiques : spectroscopie d’impédance électrochimique, voltampérométrie
    ­Caractérisation physico-chimique des films de SiOx : MEB, XPS, EDS, FTIR, ellipsométrie, angle de contact, spectroscopie d’électrons Auger, spectroscopie d’émission optique
    ­Valorisation des travaux de recherche (articles, conférence internationale)

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