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Florent ROCHETTE

GRENOBLE

En résumé

Ingénieur INSA de Lyon, Sciences et Génie des Matériaux
Docteur en Micro et NanoElectronique de Grenoble INP

Actuellement Ingénieur-Chercheur au CEA-Léti à Grenoble, Département Optique et Photonique

Mes compétences :
Physique des dispositifs à semiconducteur

Entreprises

  • CEA-Léti - Ingénieur R&D

    GRENOBLE 2010 - maintenant NA
  • Grenoble INP PHELMA - IMEP-LAHC - Enseignant-Chercheur (temporaire)

    2009 - 2010 ATER (Attaché Temporaire d'Enseignement et de Recherche)
    en école d'ingénieur (PHELMA) et pour le master international nanotech
    - TP d'Electronique (licence 3) : i) montages amplificateurs à transistors MOS et bipolaire: AOP, étude de la polarisation et des étages différentiels, de gain en tension et de gain en courant. ii) études des caractéristiques statiques des transistors: détermination des grandeurs caractéristiques et des paramètres petits signaux
    - TP de Physique (master 1): i) effet Hall et magnétorésistance sur InSb - mesure des basses aux hautes températures: application à l'extraction des paramètres fondamentaux des matériaux semiconducteurs (bandgap, mobilités des trous et des électrons, concentration de porteurs intrinsèques et dopage). ii) AFM (microscope à force atomique) - découverte du principe, des différents modes (contact, tapping,...) et des différentes techniques associées :applications à l'étude de la rugosité de SiO2, polysilicum et SiGe épitaxié sur Si. Traitement d'image dans l'espace de Fourier pour l'analyse des grandeurs caractéristiques d'un échantillon (DSP densité spectrale de puissance pour extraire la distance entre grain, amas de grain, taille des grains...)
    - TP de Physique (licence 3): i) résistivité: étude de différentes techniques (2 fils vs 4 fils, Van der Pauw,...) et de différents matériaux (métal, semiconducteurs, graphite,...) et de leurs caractéristiques électriques (variation avec la température). Calcul d'incertitude. ii) effet Hall: illustration sur du Germanium intrinsèque, dopé type P et type N: extraction du coefficient de Hall et extraction du dopage. Effet de la température sur Rh et sur la résistivité (extraction du gap). iii) Thermoélectricité: découverte pratique et théorique des effets thermoélectriques. Caractérisation des performances et caractéristiques intrinsèques d'un module Peltier monté en machine frigorifique (coefficients Seebeck et Peltier, résistivité, efficacité...)
    - BE (Bureau d'Etudes pour master 2)informatique industrielle et instrumentation: acquisition de données. Utilisation du logiciel Labview de National Instruments. i) découverte des fonctionalités du logiciel. ii) Réalisation d'une serrure codée électronique (digicode): utilisation d'une carte d'acquisition PCI, entrées/sorties numériques, codage, décodage, respect d'un cahier des charges, ergonomie, prise en compte des aspects aléeatoires de la frappe...). iii) Réalisation d’un asservissement de position d'un moteur: Utilisation des Entrées/Sorties analogiques d'une carte. Aspect de quantification. Conversion CAN et CNA. Détermination du gain de l'asservissement. Réponse à un échelon. Interfaçage. iiii) Oilotage d'instruments par la liaison série RS232: protocole de codage, écriture/lecture, programmation et IHM. Automatisation du tracé d'un diagramme de Bode d'un quadripole...
    - TP de Micro et Nanotechnologies (master 2): i) caractérisation électrique de transistors MOS sub-micronique: mise en évidence et extraction des effets de canal court (SCE, DIBL,...), effets parasites (résistances séries, fuites de grille,...), tension de seuil, facteurs d'atténuation de la mobilité (méthode de la fonction Y améliorée), performances Ion/Ioff, courant sous le seuil... Mesures effectuées sur des dispositifs industriels en R&D (STMicroélectronics). En anglais pour le master international Nanotech. ii) fabrication de circuits intégrés (MEMS, capacités et transistors MOS, diodes...) en salle blanche: photolithographie simple et double face sur MA6, gravure, dépôt, implantation ionique, recuits, mesures profilométriques sur Alpha Step, ellipsométrie, chimie HF...

    Activités de recherche: au sein des équipes Composants pour la Micro et NanoElectronique (CMNE) et Nanostructures et Nanosystèmes Intégrés (NNI) de l’Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et de Caractérisation (IMEP-LAHC) ~150 pers.
    - Valorisation de mes travaux
  • IMEP-LAHC - INGENIEUR R&D EN CARACTERISATION ELECTRIQUE

    2008 - 2009 POST-DOCTORANT EN CARACTERISATION ELECTRIQUE
    au sein de l’équipe Micro-NanoElectronique (MNE) de l’IMEP-LAHC ~150 pers.
    - Caractérisations fines du transport électronique pour l’optimisation des performances des transistors MOS ultimes de la technologie 45nm de l’alliance STMicroelectronics - IBM : projet européen MEDEA+ FOREMOST (2T103)
    - Mesures à basse température + développement d’une méthodologie d’extraction statistique des variations des résistances séries parasites et de la mobilité des porteurs pour intégration en milieu industriel
    - Etudes expérimentales nouvelles du transport électronique à fort champ par mesures de mobilité de magnétorésistance
  • CEA-Léti - Chercheur en microélectronique

    GRENOBLE 2004 - 2008 DOCTORANT EN MICRO-NANOELECTRONIQUE
    au sein du Laboratoire de Simulation et Caractérisation des Dispositifs et Procédés du CEA-Léti [~50 pers.] en collaboration avec l’institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP-LAHC) [~150 pers.] et le Laboratoire des Champs Magnétiques Intenses [~65 pers.]
    - Amélioration des performances des transistors MOS par l’ingénierie des contraintes mécaniques (projet N.A.M. + implication dans des projets industriels européens: STMicroelectronics, SOITEC) :
    - Caractérisation et modélisation de la piézorésistivité bidimensionnelle du silicium + analyse du transport dans les architectures contraintes déca-nanométriques (magnéto-transport)
    - Fortes collaborations avec les équipes filières et la plateforme nano-caractérisation physique
  • CIES - Moniteur de l'enseignement supérieur

    2004 - 2007 Rattaché à l'ENSERG : Ecole Nationale Supérieure d'Electronique et de Radioélectricité de Grenoble, de l'Institut National Polytechnique de Grenoble.
    - Enseignements en micro et nanotechnologies et en électronique.
    - Projet d’étude sur la Zététique (sensibilisation, animation, sondage en ligne, rédaction d’un article disponible sur http://enquete.cies.free.fr), 2007.
    - Participation à la fête de la science
    - Formation pendant des stages spécifiques sur le développement personnel
  • CEA-Léti - ASSISTANT DE RECHERCHE APPLIQUEE

    GRENOBLE 2004 - 2004 ASSISTANT DE RECHERCHE APPLIQUEE (Stage de DEA)
    au sein du Laboratoire des Nano-Dispositifs de l’Electronique (~50 pers.) du CEA-Léti
    - Simulation numérique et Caractérisation électrique de transistors MOS innovants en technologie FDSOI dans le cadre d’un projet en collab. avec Texas Instruments (Austin, USA)
    - Etude du couplage électrostatique aux interfaces du canal complètement déserté
  • Laboratoire Physique de la Matière - ASSISTANT DE RECHERCHE EN PHOTOVOLTAÏQUE

    2003 - 2003 ASSISTANT DE RECHERCHE EN PHOTOVOLTAÏQUE
    au sein de l’équipe Photovoltaïque de l’Institut des Nanotechnologies de Lyon – UMR CNRS 527 – (ex-Laboratoire de Physique de la Matière) [~220 pers.]
    - Fabrication (salle blanche) et caractérisations de cellules solaires interdigittées
    - Etude bibliographique des voies possibles d’amélioration du rendement de conversion énergétique
    - Etude expérimentale d’un matériau nouveau : le silicium poreux (réalisation par électrolyse)
  • Laboratoire Physique de la Matière - ASSISTANT DE RECHERCHE EN OPTOELECTRONIQUE

    2003 - 2004 ASSISTANT DE RECHERCHE EN OPTOELECTRONIQUE (Projet de Fin d’Etudes)
    au sein de l’équipe Spectroscopie et Nanomatériaux de l’Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) – UMR CNRS 527 – (ex-Laboratoire de Physique de la Matière) [~220 pers.]
    - Utilisation des nanotechnologies à base de nanostructures de Si pour application photovoltaïque
    - Projet en interaction avec l’industrie photovoltaïque (PHOTOWATT S.A.) et le CEA-Léti
    - Dépôts UV-CVD + caractérisations électro-optiques de couches minces innovantes (photocourant + photoluminescence). Etude de l’influence du recuit RTA et des concentrations des gaz précurseurs
  • CALOR - Groupe SEB - Assistant Ingénieur Technique

    2003 - 2003 MISSIONS : ETUDES TECHNIQUES POUR LES SOINS DE LA PERSONNE ET DU LINGE
    au sein du service métrologie du Groupe SEB - Calor SA (~1000 pers.)
    - Etanchéité des cuves des générateurs de pression : Influence de la température sur la mesure du débit
    - Etude de la résistance aux chocs de diverses matières plastiques pour fer à repasser
    - Mesure de températures de surface. Corrections des effets parasites sur la ligne de production

Formations

  • Institut National Polytechnique

    Grenoble 2004 - 2008 Micro et Nanoélectronique

    Thèse de Doctorat

    Etude et Caractérisation de l'influence des contraintes mécaniques sur les propriétés du transport électronique dans les architectures MOS avancées
  • Université Lyon 1 Claude Bernard ED EEA Lyon

    Villeurbanne 2003 - 2004 DEA Dispositifs de l'Electronique intégrée : Branche Composants et Nanotechnologies

    Major de promotion
  • Institut National Des Sciences Appliquées

    Lyon 2001 - 2004 Major de 2ème année. - Option Matériaux et Dispositifs à Semiconducteurs
  • Institut National Des Sciences Appliquées (Villeurbanne)

    Villeurbanne 1999 - 2004 Science et Génie des Matériaux
  • Lycée L'Oiselet

    Bourgoin Jallieu 1996 - 1999 Baccalauréat Scientifique,

    Option Science de l'Ingénieur et Technologie Industrielle - Spécialité Mathématiques => Mention Bien

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