Menu

Guillaume CROIZIER

  • Thales
  • Ingénieur matériaux et procédés

Saint-Héand

En résumé

Spécialiste en process microélectronique fort de 8 ans d’expérience dans le domaine des matériaux et microsystèmes en couches minces

Mes compétences :
Advanced Design System (ADS)
CleWin, L-edit
TFCalc
COMSOL
Labview
Travail en équipe
Gestion de projet
SOI MEMS
ALD
Semiconducteurs
Microtechnologies
Nanotechnologies
Capteurs
Instrumentation
Prototypage
Photolithographie
Contrôle statistique des procédés (SPC)
Conception d'expériences (DOE)
Fabrication en salle blanche
Evaporation thermique
Micro-électronique
Dépôts électrolytique
Gravure humide
Pulvérisation cathodique
Gravure plasma
IBE
CVD
PVD
MEB
Caractérisation des matériaux
Couches minces
RF MEMS
MATLAB
MEMS+
AFM
Capteurs SOI MEMS
Conception d'expériences
Couche mince
Environnement salle blanche
DRIE (Deep Reactive Ion Etching)
Dépôts électrolytiques
Caractérisation électrique
AFM (Atomic Force Microscope)
CVD (Chemical Vapor Deposition)
PVD (Physical Vapor Deposition)
ALD (Atomic Layer Deposition)
IBE (Ion Beam Etching)
Vibrométrie sous vide

Entreprises

  • Thales - Ingénieur matériaux et procédés

    Autre | Saint-Héand (42570) 2020 - maintenant Ingénieur process amont
  • Safran Electronics & Defense - Ingénieur d'études physiques

    Éragny (95610) 2017 - 2020 Développement de dispositifs SOI-MEMS inertiels (gyromètres/accéléromètres)

    - Expertises relatives à des faits techniques (défaillance, défaut de mise en oeuvre, dégradation des performances …) par des analyses physiques (MEB, profilométrie optique, caractérisations électriques …)

    - Activités de conseil (Process flow, DRIE, packaging, Caractérisations …) dans le cadre d'un projet de développement d’un accéléromètre MEMS, implication dans la recherche de partenariats, participation aux concertations techniques préliminaires au contrat de collaboration

    - Etude de défectivité en Front-end et Back-end, développement de traitements automatisés de relevés topographiques et génération de cartographie de plaques

    - Activités de rétro-ingénierie sur Unités de Mesure Inertielle (UMI)

    - Mise en place de moyens de caractérisation électriques et études préliminaires à l’investissement dans des moyens de caractérisation aux étapes front-end et back-end

    - Simulations électromécaniques et études préliminaires à un investissement dans un outil de simulations multi-physiques
  • Thales R&T - Ingénieur de recherche (Doctorant CIFRE)

    Palaiseau (91120) 2014 - 2017 Développement de dispositifs SPNT de puissance intégrant des MEMS RF capacitifs

    - Etudes sur les matériaux diélectriques et comparaison entre modes de dépôt, compréhension des effets de charge, choix et développement du matériau diélectrique répondant à l’utilisation multi-spectrale des MEMS RF capacitifs

    - Développements de dépôts ALD pour les MEMS RF capacitifs de puissance mais aussi pour d’autres applications

    - Fabrication de MEMS RF capacitifs sur plaques 3 pouces et caractérisation de la fiabilité et des performances à forte puissance

    - Choix techniques et finalisation du dossier d’investissement pour l’achat d’un réacteur ALD

    - Participation aux essais préliminaires, à l’installation et aux modifications des infrastructures, à la recette et aux vérifications de la fonctionnalité d’un réacteur ALD

    - Simulations électromécaniques et mise au point d'une architecture répondant aux spécifications de puissance et de fiabilité
  • Thales R&T - Ingénieur d'études (Apprenti)

    Palaiseau (91120) 2012 - 2014 Développement de la technologie des MEMS RF capacitifs par l’étude des matériaux et l’optimisation des procédés de fabrication

    - Comparaison des propriétés intrinsèques aux matériaux et techniques de dépôts (ALD, IAD, PECVD)

    - Fabrication de capacités MIM, caractérisations morphologiques, structurales et électriques

    - Développement de gravures plasma de différents matériaux (Si, SiO2, Pyrex) pour le packaging des MEMS RF capacitifs

    - Etudes électromécaniques et développement du procédé de métallisation des membranes sur couche sacrificielle

    - Préparation d’un dossier d’investissement et conduite des études préliminaires à l’achat d’un bâti de dépôt en couches minces de diélectriques

    - Etablissement d’une base de données sur les matériaux diélectriques

    - Mise en fonction, participation à la recette et vérification de la fonctionnalité d’un bâti de dépôt en couche mince par pulvérisation cathodique
  • Thales R&T - Technicien supérieur (Apprenti)

    Palaiseau (91120) 2011 - 2012 Développement de procédés de gravure plasma pour les applications optiques, optroniques et hyperfréquences

    - Mise au point d’un procédé innovant de structuration courbe pour la fabrication de microlentilles

    - Optimisation de la gravure profonde du silicium pour la réalisation de grilles d’extraction pour la caractérisation de sources RX à base de nanotubes de carbones

    - Développement de procédés de nano-structurations (nano-piliers et nano-cônes pour l’optique sub-λ) pour la réalisation d’optiques à profondeur de champ étendue

    - Mise en fonction, participation à la recette et vérification de la fonctionnalité d’un bâti de gravure plasma à couplage inductif, rédaction d’un mode opératoire

    - Remise en marche et démonstration des possibilités d’un appareil de microscopie à force atomique, rédaction d’un mode opératoire
  • Sagem DS - Technicien Supérieur (Intérimaire)

    2010 - 2011 Réalisation et caractérisation de traitements optiques en couches minces pour les applications spatiales et l’astronomie scientifique

    - Réalisation de traitements optiques en couches minces par évaporation thermique

    - Caractérisation des propriétés optiques des fonctions réalisées (anti-reflet, polariseur, séparatrice, …) par spectrophotométrie (UV, Vis, IR)
  • Paulstra SNC - Technicien supérieur (Intérimaire)

    2010 - 2010 Contrôle des performances et de la tenue en fatigue de pièces antivibratoires à composante élastomère
  • Alcatel Thales III-V lab. - Technicien supérieur (stagiaire)

    2010 - 2010 Etude et mise en place de moyens de caractérisation de matériaux III-V épitaxiés

    - Optimisation de la cartographie sur banc de spectroscopie de photoluminescence pour l’étude de matériaux III-V épitaxiés

    - Etude des profils de concentration de dopants des alliages semi-conducteurs III-V par profilomètrie électrochimique et instauration de bases de données d'échantillons références

    - Mise en fonction, participation à la recette et vérification de la fonctionnalité d’équipements de caractérisations

Formations

Réseau

Annuaire des membres :