Absiskey
- Management de projets collaboratifs de recherche & d’innovation
Grenoble2015 - maintenant
Alma CG
- Consultant en financement de l'innovation
Gennevilliers2014 - 2015
CEA
- Ingénieur R&D
PARIS2011 - 2014- Veille technologique sur les dépôts de couches minces pour application industrielle biotechnologie / lab-on-chip basé sur le phénomène d’électromouillage (Veille brevet, publication, interviews etc)
- Sélection de matériaux et de procédé de dépôt auprès d’acteurs européens et américains (PECVD, CVD, dépôt par voie liquide)
- Test des dépôts couches minces (hydrophobicité, hystérésis, propriété d’électromouillage)
- Conseil et rédaction de recommandations techniques auprès du client, leader en recherche et développement sur la technologie de microfluidique digitale.
- Développement d’un procédé de croissance de nanotube de carbone sur couche mince et poudre d’alumine par CVD en vue de transférer le procédé à l’échelle industrielle
Trixell
- Ingénieur Industrialisation des Procédés, Responsable de lot
Moirans2008 - 2010Missions: Assurer le prototypage et la production de nouveau détecteur numérique de rayons X pour l’imagerie médicale
Réalisations:
• Pilotage de projets nouvel équipement, rédaction des cahiers des charges, aide au choix fournisseur (France, USA, Japon), suivi technique fournisseur, étude de faisabilité process, transfert de procédés à la production
• Pilotage d’un plan de validation robustesse « nouvelle dalle technologique » basé sur des procédés issus de la microélectronique (métallisation, gravure, polissage, nettoyage, encapsulation etc), rédaction de rapports techniques, AMDEC process
• Définition des spécifications des futurs produits
• Gestion d’anomalie : leader/animation d’un groupe de résolution de problème (7 personnes)
NXP Semiconductors
- Ingénieur R&D BACK-END
Colombelles2005 - 2008Missions : Etude de la stabilité de matériaux isolants denses et poreux en couches minces dans des milieux liquides, fonctionnaliser des matériaux de type SiO2 en vue de réaliser des dépôts métalliques pour noeud 32 nm et en-dessous
Réalisations :
• Mise en place de techniques innovantes telles que la spectroscopie d’impédance électrochimique pour l’étude du vieillissement de matériaux
• Développement de procédé de dépôt couche mince (CVD, PVD, Sol-gel, fonctionnalisation, Plasma, Tool 200 et 300 mm)
• Caractérisation physico-chimiques (SIMS, RBS, XRD, AFM, XRR, MEB, WDXRF, FTIR, EP, angle de goutte)
• Présentations orales dans le cadre de conférences internationales (ECS Denver2006 et Chicago2007)
• Dépôt de 3 brevets
STMicroelectronics
- Ingénieur R&D FRONT-END
2004 - 2004Mission : Développement d’un alliage métallique de type siliciure en couche mince pour les grilles de transistor
Réalisations :
• Mise en œuvre du dépôt chimique en phase vapeur (CVD, équipement de type AMAT, qualification)
• Caractérisation physique et électrique (mesure de capacité, travaux de sortie etc)
