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Marc DE LA BARDONNIE

GRENOBLE

En résumé

Je suis ingénieur en qualification de circuits, test et caractérisation, rendement avec une forte expérience en analyse de défaillance. Je recherche un poste technique en R&D dans ces domaines idéalement en région Rhône-Alpes.

Pour me contacter: mbardonnie@hotmail.com

Mes compétences :
Analyse de défaillance
Qualification produit
Amélioration de process
Microscopie electronique
Amélioration de la productivité
Analyse technique
Radiofréquences
Analyse statistique
Qualité produit
Electronique
Recherche
Qualité
Programmation
Industrialisation
C
Enseignement
Développement logiciel
Gestion de projet

Entreprises

  • Cea-leti (mission AGAP2) - Ingénieur en Test

    2017 - maintenant Automatisation d’un banc de mesure et caractérisation d’un circuit RF-ID à haute température pour un projet industriel en aéronautique. Conception de la carte et du programme de test, mesures et simulation RF sous ADS, évaluation complète du circuit jusqu’à 250°C

  • Lycée Edouard Herriot - Professeur de Mathématiques

    La chapelle saint luc 2016 - 2017 Enseignement en classe de seconde (CAPES obtenu en 2016)

  • Serma Technologies - INGENIEUR QUALIFICATION ELECTRIQUE COMPOSANTS

    Pessac 2014 - 2015 Serma Technologies, Minatec Entreprises, Grenoble

    Expertise technique et réalisation des stress de qualification électrostatiques et d’immunité au latchup sur une grande variété de composants.
    Réalisation des devis, mise en place, vérification et lancement des tests, gestion et validation des dossiers d’analyse, management technique, communication client.

  • NXP semiconducteur - Ingénieur qualité produit

    2009 - 2014 Département RF-Transceiver, NXP France, Caen.

    Industrialisation de 5 produits RF dans 2 fab et 2 centres d’assemblage et test :

    -Evaluation des performances et caractérisation électrique de la dernière génération de tuners TV RF en analogique & numérique: programmation, debug, mesures, rapports.

    -Gestion du démarrage et suivi de production de masse en Asie : optimisation rendement (détracteurs et résolution de problèmes), qualité zéro défaut et gestion des lots bloqués.

    -Développement de projets techniques et formation en analyse de défaillance de collaborateurs.

  • NXP - Ingenieur analyse défaillance

    2002 - 2009 Crolles2 (alliance industrielle STMicroelectronics, Freescale, NXP) puis Caen pendant 2 ans.

    Au sein d’une fab pilote sur les technologies process avancées et pour des business line:
    - Analyses de structures et produits, R&D et retours clients
    - Suivi technique des dossiers d’analyse, encadrement de techniciens
    - Développement et mise en place de nouvelles méthodes et techniques d’analyse
    - Sélection des fournisseurs et qualification des équipements
    - Encadrant d’une thèse et publications

  • Infineon technologies - Ingénieur caractérisations électriques

    GEMENOS 1999 - 2002 département Product Engineering, Dresden (Allemagne)

    Analyse électrique et physique des défaillances sur mémoires non volatile : cartes à puce et applications automobiles

  • Ecole d'ingénierie Electrique, Université de Vanderbilt - Postdoctorat

    1998 - 1999 Nashville TN (USA). Caractérisation électro-optique de jonctions silicium.

    Vieillissement électrique et irradiation X de transistors bipolaires et diodes: étude de l’intensité spectrale, de sa distribution, des paramètres électriques et de structure. Programmation appareil de mesure HP4145 avec Labview. Travail effectué dans le cadre d’une bourse Lavoisier. Travail publié dans 2 revues internationales IEEE.

  • Université de Perpignan - Attaché temporaire d'Enseignement et de Recherche

    1995 - 1997 -Recherche en microélectronique au centre d'Etudes Fondamentales. Programmation en C et pascal de cartes d’acquisition-restitution et d’un logiciel de calcul de paramètres électriques.
    7 publications dans des journaux internationaux, 7 publications à des congrès.
    - enseignement en physique, électricité et électronique en première année de DEUG.
    - 4 missions à Beyrouth, Liban à l’Université des Sciences II et au CNRS Liban en 1995, 1996, 1997 et 1999 : programmation et mise au point d'un dispositif de test de vieillissements électriques de transistors bipolaires, MOS, photopiles, et diodes. Séminaires et suivi de projets et travaux de recherche.

Formations

  • Université De Perpignan (UPVD)

    Perpignan 1993 - 1996 Docteur en physique des semiconducteurs

    Etude du vieillissement électrique de n-MOS par caractérisation de la jonction substrat-drain.
    7 publications dans des journaux internationaux, 7 publications à des congrès

  • Ecole D'Application De L'Infanterie

    Montpellier 1992 - 1993 Développement logiciel en C

  • Ecole Polytechnique Universitaire De Montpellier (Ex-ISIM)

    Montpellier 1989 - 1992 Ingénieur

    Stage Midi-Robots Toulouse: programmation en C pour robotique mobile

    Projet de fin d’études avec la société Bertin: Développement d'une carte électronique et programmation en C pour robotique mobile

Réseau

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