Marion CARMONA

En résumé

Entreprises

• STmicroelectronics - Ingénieur fiabilité et caractérisation électrique

  2012 - 2016 • Caractérisation et analyse des performances et de la fiabilité de composants MOS et de cellules mémoires non volatiles
  Qualification « Wafer Level Reliability » : porteur chaud, claquage d’oxydes, endurance…
  • Développement d’outils de caractérisation et d’analyses (langage : LabView)
  Programme permettant de piloter des équipements de mesures et d’extraire des paramètres caractéristiques des mécanismes de dégradation des transistors MOS.
  • Vérification et validation du layout des structures de test (logiciel : KLayout)
  • Compréhension du procédé de fabrication CMOS et mémoire non volatile embarquée
  • Participation aux projets de R&D: Interaction avec équipes process-intégration, design, TILT, TCAD
  

Formations

• Aix Marseille Université – IM2NP – STMicroelectronics

  Marseille 2012 - 2015 Doctorat
  
  Thèse CIFRE : « Fiabilité des transistors MOS des technologies à mémoires non volatiles embarquées ».
  Aix Marseille Université – Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP) – STMicroelectronics

• Université Aix-Marseille - IM2NP - STMicroelectronics

  Marseille - Rousset 2012 - 2015 Doctorat
  
  « Fiabilité des transistors MOS des technologies à mémoires non volatiles embarquées ».
  Physique du semi-conducteur, mécanismes de dégradation et temps à la défaillance, mobilité des porteurs, effet hump…
  

• Université Aix-Marseille (Marseille)

  Marseille 2009 - 2011 Master Recherche Micro- et Nano- Électronique (MINELEC)
  
  Physique des composants et des matériaux, composants élémentaires...

• Université Aix-Marseille (Marseille)

  Marseille 2008 - 2009 Licence Sciences Physiques et Chimiques (SPC)
  
  Spécialité Physique

Réseau

• Anaïs GALLIGANI

• Anthony JAMES

• Benjamin REBUFFAT

• Mélanie CARMONA

• Nicolas BORREL