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Sophie BARBET

LINAS

En résumé

Ingénieur de recherche avec 10 ans d’expérience dans le domaine public (thèse à l’IEMN, CNRS) et privé (Alcatel Lucent Bell Labs France), j’ai exercé dans plusieurs domaines comme la physique des matériaux ou les composants en optoélectronique.
J’ai acquis des compétences propres à la R&D en salle blanche : travail en équipe, rigueur, techniques de fabrication et de caractérisation de composants entre autres.


Mes compétences :
Mesure Physique
Excel
Latex
Word
Htlm
Technologies innovantes
Process
Nanotechnologies
Microélectronique

Entreprises

  • IEMN (Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies)

    maintenant

  • Alcatel Bell Labs France - Ingénieur

    2009 - maintenant Implication dans différents projets pour les BD d’ALBLF, clients étrangers, projets européens
    Réalisation de composants pour l’optoélectronique
    Formation de doctorants aux différentes techniques de fabrication de composants
    Responsable technique d’équipement de photolithographie et de métallisation

  • LaMIPS - Post-Doctorat

    2008 - 2009 Le projet a pour but d'analyser précisément le comportement en champ magnétique des circuits intégrés microélectroniques dans le domaine des radiofréquences et la mise en œuvre de techniques d’analyses de défaillance par microscopie magnétique. Une première étude concerne la localisation de défaillances de circuits par un nouveau procédé original sans contact mettant en œuvre la Microscopie Magnétique. Cette étude a permis de montrer toutes les potentialités de cette technique pour la localisation de défauts sur des circuits fonctionnant en DC.

  • ISEN - Monitorat de travaux pratiques

    Bonneuil sur Marne 2004 - 2007 Travaux Pratiques d'Electronique

  • IEMN - Doctorant

    2004 - 2008 Ce travail de recherche s’est effectué en collaboration avec III-V Lab Alcatel-Thales. Il a consisté dans un premier temps au développement du mode sonde de Kelvin (KFM) sur un microscope AFM commercial. Dans un deuxième temps, l’utilisation du mode KFM a permis d’étudier des surfaces semiconductrices de matériaux III-N, et plus particulièrement de GaN dopées n ou p.

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