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Thanh Tra NGUYEN

GRENOBLE

Electionseuropéennes 2024

RETROUVEZ GRATUITEMENTLe résultat des européennes à Grenoble ainsi que le résultat des européennes dans l'Isère.

En résumé

Actuellement post-doctorant sur la ligne de lumière BM2 à l'ESRF (European Synchrotron Radiation Facility), mon sujet de recherche est d'analyser des couches ultraminces (sub 10micron) des silicures de nickel sur SiGe/Si pour des applications FDSOI, en utilisant une combinaison des méthodes de caractérisation structurale (rayons X, TEM, SEM). Ce sujet de recherche est en colaboration avec CEA-LETI sur projet national Equipex.

Mes compétences :
Croissance des nanostructures III-V et du Si
Caractérisation de surface par AFM
Analyse des nanostructures par rayons X
Caractérisation des matériaux
Photonique
Planification
Rigueur
AFM Records
Diffractométrie de rayons X

Entreprises

  • ESRF - Post-doctorant

    2013 - maintenant

  • FOTON Lab- INSA de Rennes - Doctorant contractuel

    2010 - 2013 Domaine d'étude: photonique sur silicium (croissance des nanostructures III-V (MBE) et croissance de Si (CVD), caractérisation structurale et optique des nanostructures par diffraction des rayons X, AFM, TEM et PL). L'objectif de cette thèse était d'optimiser la croissance du GaP/Si (pseudomorphique) en visant une interface de bonne qualité et une surface parfaitement plate qui est appréciée pour le dévelopement des composants optiques dessus, et aussi de minimiser les défauts structuraux , par exemple des domaines d'anti-phases, des micro-twins...

  • CEA-MINATEC - Stagiaire

    2010 - 2010 Réalisation des LED blanches à haute brillance, basé sur des LED bleues encapsulées par de phosphores et silicone. Simulation sous TracePro la relation entre la géométrie de l'encapsulant, le matériau de l'encapsulant et la distribution spatiale et le rendement de lumière sortie.

Formations

  • INSA De Rennes (Rennes)

    Rennes 2010 - 2013 Doctorat

    Physique & Science des matériaux - Etude des nanostructures III-V épitaxiées sur substrat de silicium pour réaliser des sources de laser pour des applications photoniques sur silicium, photovoltaique à haute performance.
    Compétences: croissance des nanostructures III-V par MBE, croissance du silicium par UHV CVD, caractérisation structurale et optique par XRD, AFM, TEM et PL.

  • Ecole Centrale Centrale Paris / ECP

    Chatenay Malabry 2006 - 2008 Ingénieur

    Matériaux et Génie des Procédés - Double diplôme ingénieur: Centrale Paris & Institut Polytechnique de Ho Chi Minh Ville

  • Institut Polytechnique De Ho Chi Minh Ville (Ho Chi Minh)

    Ho Chi Minh 2004 - 2010 Ingénieur

    Matériaux avancés - Double diplôme ingénieur: Centrale Paris & Institut Polytechnique de Ho Chi Minh Ville

Réseau

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