Mes compétences :
Conception
Epitaxie
Gravure
Plasma
Recherche
Traitement de surfaces
Entreprises
GEMaC (Groupe d'Etude de la Matière Condensée - CNRS/UVSQ))
- Ingénieur de recherche
2009 - maintenant- Homoépitaxie et dopage de type n (incorporation de phosphore) du diamant (orientation 100) par MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition).
- Caractérisation des échantillons de labos partenaires : Couches de diamant dopés p (Bore) et substrats de diamant dopés p et n par implantation ionique.
Techniques de caractérisation utilisées :
- MEB,
- Spectroscopie de Cathodoluminescence,
- SIMS,
- Diffraction des rayons X (mesure de désorientation)
- Effet Hall Haute Température
MHS Equipment
- Ingénieur R&D / Chef de projet
2008 - 2008Conception de systèmes de dépôt sous vide (Evaporation, MBE, Pulvérisation magnétron)
Gestion de projets : coordination de l’équipe projet et des différentes étapes de la réalisation (étude, approvisionnement, montage) dans le respect du cahier des charges et des délais
2006 - 2007Développement de procédés plasmas (principalement en gravure) basse pression sur les réacteurs de la gamme d'Oxford Instruments.
Mise en place des procédés chez les clients :
- Gravure isotrope : Si, SiN, SiO2, ITO, résines, Cr, Al, Ti.
- Gravure anisotrope : GaN, Si, SiN, SiO2, polymère, LiNbO3.
Analyse de défaillance (gravure isotrope de la couche de polyimide et de la couche de passivation, gravure anisotrope des couches diélectriques intermétalliques)
- PECVD : SiO2, DLC
GREMI UMR 6606 CNRS/Université d'Orléans
- Doctorant
2003 - 2006Thèse au laboratoire GREMI sous la direction de Pr. Pierre Ranson et de Dr Rémi Dussart :
Gravure profonde du silicium par le procédé cryogénique ' Application à la réalisation de trous traversants ' Optimisation du procédé, mécanismes réactionnels en phase gazeuse et interaction plasma/silicium.
Gravure réalisés sur réacteur industriel Alcatel 601E.
Analyses :
- Sonde de Langmuir
- Spectroscopie d'émission optique, actinométrie
- Spectrométrie de masse en phase gazeuse
- MEB
1 brevet, 8 publications et 24 communications internationales et nationales.
Enseignements à Polytech'Orléans (environ 100h) : travaux dirigés, travaux pratiques, encadrement de projets et de stage au sein de l'équipe de recherche.
Orleans2003 - 2006Doctorat en physique des plasmas
These effectue au GREMI sous la direction de P. Ranson et R. Dussart
Titre de la these : Gravure profonde du silicium par le procede cryogenique - Application a la gravure de trous traversants - Optimisation du procede, mecanismes reactionnels en phase gazeuse et interaction plasma/silicium
