Alain Bruno FADJIE

En résumé

Entreprises

• IEMN Lille - Conception transistors à faibles conommation

  VILLENEUVE D’ASCQ 2013 - 2015 • Optimisation de procédés de dépôt d’oxyde métallique à haute constantes diélectriques sur les semi-conducteur III-V sur des équipements semi-industriels.
  • Caractérisations physico-chimiques et Electrique, des interfaces oxyde métallique / semi-conducteur III-V.
  • Développement des procédés de fabrication des transistors FinFET-GAA sur des semi-conducteur III-V.
  • Optimisation des procédés de passivation et de réduction d’interface dans les oxydes métalliques.
  • Développement des procédés de traitement après dépôt et des procédés de dépôts des matériaux à hautes constantes diélectriques sur l’équipement semi-industriel.
  • Gestion du module oxyde dans le projet MOSINAS.
  • Micro fabrication des transistors FinFET et des capacités MOS (design du masque, lithographie)

• Université Joseph Fourier - Ingenieur de Recherche, Microelectronique et Composants

  Saint-Martin-d'Hères 2012 - 2013 • Veille Technologique sur les procédés de contacts innovants
  • Caractérisations physicochimiques et électriques des matériaux à high-k sur des substrats III-V
  • Dépôts des matériaux high-k ((Al2O3, HfO2) sur équipement semi-industriels pour des contacts innovants.
  • Caractérisations électriques des composants CMOS et des contacts Métal/semi-conducteur
  

• CEA, Leti Grenoble - Ingénieur - Chercheur

  2012 - 2012 • Veille Technologique sur les procédés de contacts non-siliciurés/dipoles
  • Caractérisation matériaux et développement des procédés sur semi-conducteurs.
  • Dépôt et caractérisation matériaux high-k (Al2O3, HfO2) sur des équipements industriels.
  • Caractérisation électrique des composants CMOS
  

• CNRS Bretagne - Doctorant - Chercheur

  2008 - 2011 • Caractérisation des monocouches moléculaires greffées sur semi-conducteur et leurs interfaces.
  • Caractérisation des centres électro actifs pour la détection spécifique et des mémoires moléculaires
  • Caractérisation électrique des jonctions Métal-Isolant-Semi-conducteurs.

• CEA Saclay - Stagiaire

  Gif-sur-Yvette 2008 - 2008 Réalisation des couches de barrières de diffusion pour la croissance des nanotubes de carbone.

Formations

• Université Paris 11 Paris Sud M2 ECMCM

  Orsay 2007 - 2008

Réseau

• Alain NIFLE

• Alexandre FÉBURIER

• Bourgeois CÉLIA

• Céline BERTHEAU

• Christian FAVRE

• Cyril HYRON

• M. Lénaïc BERTHELOT

• Philippe MANGEARD

• Rostand NGAMENI

• Serge LARNAC