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Caroline POURREAU-BLANC

MONTPELLIER

En résumé

Mes compétences :
Coordination de projets
Semiconducteurs
Recherche
Qualité
Physique
Gestion de projet
MATLAB
Service client
Linux
Electronique
Matériaux

Entreprises

  • Oktalogic

    maintenant
  • Conseil régional Languedoc-Roussillon - Chargé d'étude Valorisation de la Recherche

    2014 - maintenant - Renforcer les partenariats entre les entreprises et les établissements de recherche
    dans le cadre de projets régionaux, nationaux, européens et internationaux,
    - Développer les projets transversaux avec les autres services de la Direction et les
    autres directions de la Région (Direction des entreprises, Direction des partenariats
    internationaux…) et les organismes locaux (Agence régionale de l’innovation, SATT
    AxLR,…)
    - Participer à la conception, l’élaboration et la mise en œuvre de la politique régionale
    en matière de valorisation de la recherche publique, de partenariat avec les acteurs
    économiques et d’innovation,
    - Analyser et instruire les dossiers de demande de financement (FUI, R&D
    collaboratifs…) et préparer les décisions du Conseil Régional, coordonner la gestion
    administrative et financière,
  • OKTALOGIC - Responsable Production et Industrialisation

    Toulouse 2007 - 2012 Responsable des services Production et SAV
    Responsable du service industrialisation et des achats
    Organisation des services : création d’outils et de procédures
    Mise en place de la qualité dans les 2 services (certification ISO9001)
    Management d’une équipe de 3 personnes
    Industrialisation des nouveaux produits -
    Rédaction des cahiers des charges, spécifications et notices d’utilisation
    Gestion du stock et des achats
    Relation clients et fournisseurs
  • Freescale semiconductor - Ingénieur en recherche et dévelopement

    Toulouse 2006 - 2007 Crée en 2002, Alliance Crolles2 a permit à trois sociétés telles que ST, NXP (Phillips) et Freescale d'investir dans une usine de fabrication de composants microélectroniques pour des wafers de 300 mm.
    Le but de la R&D est de développer les futures technologies qui seront par la suite mises en production.
    Après avoir programmé et optimisé le site de mesures de bruit basse fréquence et j'ai optimisé les traitement de données.
    Grâce à des mesures électriques et plus particulièrement des mesures de bruit basse fréquence, en collaboration avec les ingénieurs "process", j'ai participé au développement des technologies CMOS065, CMOS045 et bientôt CMOS032.
    Les résultats des mesures permettent de connaitre l'impact du process sur le transistor MOS.
    De plus, je fournis des mesures aux ingénieurs responsables de la modélisation de composants.
    Compétences :
    Coordination de projets autour de l’activité « mesure de bruit ».
    Support client par caractérisations électriques pour le développement de technologies avancées.
    Mise en place, automatisation, gestion et planning du banc de test.
    Analyse et présentation des données, animation de réunions et conf-calls.
  • NOVASiC - Thèse

    2002 - 2005 Dans le cadre d'une veille technologique dans les laboratoires universitaires, ma thèse était cofinancée par cette entreprise.
    C'est une thèse pluridisciplinaire dans les domaines de la physique, la chimie et la microélectronique.
    Coordination du projet avec différentes équipes universitaires dans le cadre de contrats européens.
    Mesures optiques et électriques pour la caractérisation du matériau.
    Optimisation des étapes technologiques de fabrication d’un MOS.
    Mesures électriques sur un composant type MOSFET sur SiC.
  • Schlumberger - Stage en collaboration

    Paris 2002 - 2002 Stage de DEA :
    Tests électriques de capteurs à effet Hall réalisés sur technologie SOI – Application au comptage de l’électricité

    Détermination des grandeurs physiques par mesures d’effet Hall,
    Influence et optimisation des différents paramètres.
  • Thalès Orsay - Stage en collaboration

    2001 - 2001 Stage de DESS :
    Caractérisations électriques de diodes Schottky en SiC

    Caractérisations et modélisations I(V) et C(V) de diodes Schottky,
    Mise en place et programmation d’un site de mesure de DLTS

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