-
Institut des Nanotechnologies Lyon
- Ingénieur Recherche
2009 - maintenant
Responsable des équipements de lithographie électronique : développements technologiques, formations, maintenance
(Utilisation de 2 MEB 30keV et 1 masker JEOL 100keV)
Développement de nouvelles technologies en salle blanche pour des applications nanophotoniques et nanoélectroniques
Membre du Laboratoire International de Nanotechnologies et Nanosciences UMI-LN2 (http://www.gel.usherbrooke.ca/labn2/)
-
Serma Technologies
- Ingénieur R&D et correspondante Qualité ISO 9001
Pessac
2008 - 2009
Gestion et montage de projets R&D en micro et nanoélectronique (pôles Minalogic, Tenerrdis, ANR et européen)
Veille scientifique et technologique sur le marché des nouvelles technologies, participation à des groupes de travail, recherche de collaborations…
Réalisation de prestations industrielles : caractérisations par AFM-électrique, µRaman et fabrication de lames TEM
Montage intégral de projets R&D sur les thématiques packaging hermétiques, MEMS, composants microélectroniques nouvelles générations...
-
CEA LETI
- Ingénieur recherche caractérisation
PARIS
2007 - 2008
Responsable des études du dopage de semi-conducteurs II-VI, III-V et des caractérisations associées pour la réalisation de
Leds blanches pour l’éclairage. Caractérisations électriques et de transport des matériaux couches minces et nanofils.
-
Laboratoire de microélectronique, Université de Sherbrooke, Québec
- Stage recherche
2003 - 2003
Etude de l’interdiffusion en puits quantiques créée par implantation faible énergie pour la photonique
-
Institut Néel, CNRS
- Ingénieur recherche dans le cadre du doctorat
2003 - 2006
Thèse de Doctorat en micro et nanoélectronique (UJF, Grenoble):
• 2 ans au Laboratoire d’Etude des Propriétés Electroniques des Solides, CNRS Grenoble
Ecole doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique et Traitement du Signal (EEATS)
• 1 an au National Institute for Materials Science (NIMS), JAPON
Université de Tsukuba, Collège doctoral Franco-Japonais (CDFJ)
Réalisation, étude et applications de jonctions p/n en diamant. Croissance du matériau par MPCVD, dopage in_situ, mise en évidence des propriétés électriques et de transport, structurales et optiques. Mise en place d’une méthode de préparation de la surface du diamant avant croissance
Manuscrit publié et disponible sous le numéro ISBN 978-613-1-51248-3
Monitrice de l’enseignement supérieur au département GEII à l’IUT de Grenoble
-
Cooper Menvier - Luminox
- Stage R&D
2002 - 2002
Adaptation électronique d’un bloc d’éclairage de sécurité et programmation en C du microcontrôleur
