Mes compétences :
Cadence
CAO
Conception
Design
Electronique
Électronique analogique
GAP
Layout
matériaux
Modélisation
Physique
Physique du semi conducteur
SIC
Silvaco
SPICE
Entreprises
Continental
- Ingénieur microélectronique
Toulouse2013 - maintenantDéveloppement de circuits intégrés (ASIC) pour application automobile (H-bridge, tire pressure monitoring, direction assistée)
- Spécification des ASICs
- Suivi du développement (interface application/fournisseur, suivi du design)
- Test des ASICs
SERMA-INGENIERIE
- Ingénieur électronique
Guyancourt2011 - 2013-Consultant chez CONTINENTAL: étude d'un calculateur pour l'injection diesel (de juillet 2012 à aujourd'hui)
-Consultant chez AIRBUS: projet recherche: conception d'un interrupteur intelligent contre les effets indirects de la foudre pour les lignes d'alimentation (d' octobre 2011 à juillet 2012)
Mots clés: électronique analogique, matériaux grand gap, SiC, GaN, convertisseur DC-DC, interrupteur de puissance
IMS bordeaux
- Ingénieur de recherche
2010 - 2010Ingénieur de recherche - Laboratoire IMS (Intégration du Matériau au Système) - Bordeaux
Analyse de l'influence des contraintes mécaniques sur les caractéristiques électriques et physiques d'un transistor IGBT de puissance:
- Caractérisation électrique du composant sous flexion
- Analyse de défaillance (reverse engineering, deprocessing)
- Modélisation physique 3D par éléments finis du composant (SENTAURUS)
- Simulation multi-physique : simulation électrique de l'IGBT avec modélisation des contraintes mécaniques dans le silicium (SENTAURUS)
- participation à l'encadrement d'un doctorant
Mots clés: fiabilité, simulation multi-physique, mécanique, assemblage, physique du semi-conducteur
LAAS-CNRS et LAPLACE - Toulouse
- Ingénieur de recherche
2005 - 2009Ingénieur de recherche - Laboratoires LAAS-CNRS (Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes) et LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie) - Toulouse
sous la direction de Dr M. Breil (LAAS) et Pr F.Richardeau (LAPLACE)
Conception et réalisation d’un dispositif semi-conducteur de puissance autonome intégré monolithiquement sur silicium:
- Conception circuit
- Modélisation physique 2D à éléments finis (SENTAURUS, SILVACO)
- Modélisation multi-échelle (SENTAURUS MIXED-MODE)
- Simulation et développement de procédés technologiques de fabrication (SILVACO)
- Design des composants (layout) : thyristor, IGBT, MOSFET, diode, condensateur (CADENCE)
- Réalisation technologique (photolithographie, gravure, implantation ionique, dépôt)
- Caractérisations électriques (Mesures I(V) moyenne puissance, testeur sous pointes)
- Présentations orales lors de conférences internationales
- Publications d'articles dans des revues scientifiques internationales
Mots clés: semi-conducteur de puissance, intégration de puissance, convertisseur réversible (redresseur), physique du semi-conducteur, procédé salle blanche, conception circuit et composant
Travaux de thèse récompensés par deux prix:
- Prix de l'école doctorale GEET (génie électrique, électronique et télécommunication)
- Prix de physique de l'académie des sciences de Toulouse
Distinction de la ville de Toulouse pour l'ensemble de mon parcours (Novela 2011)
