Menu

Joris LACORD

GRENOBLE

En résumé

Pas de description

Entreprises

  • CEA-LETI - Research Engineer / Ingénieur de recherche

    GRENOBLE 2015 - maintenant Simulation, modeling and benchmarking of advanced CMOS technologies.
  • CEA-LETI - Research Engineer / Ingénieur de recherche

    GRENOBLE 2013 - 2014 TCAD simulations for STMicroelectronics CMOS technology development support.

    VF:
    Simulations TCAD pour apporter un support au développement des technologies CMOS de STMicroelectronics.
  • STMicroelectronics - Ph.D Advanced R&D Engineer

    2012 - 2012 Analytical and compact modeling of advanced CMOS device structure and validation of those models by comparison with TCAD simulations.
    Evaluation of logic and SRAM performances with the compact model developped during my PhD of several device structure (BULK, FDSOI and FinFET/Trigate) with conventionnal CAD tool (such as ELDO) for advanced CMOS technological nodes (sub-20nm).

    VF:
    Modélisation analytique et compacte des différentes architectures CMOS avancées et validation des modèles par simulations numériques de type TCAD.
    Evaluation de leur performance niveau circuit logique et cellule SRAM par l'intermédiaire de simulateur de circuit conventionnel (ELDO) et du flow CAD standard
  • STMicroelectronics - PhD Student - Doctorant

    2009 - 2012 Compact model development to evaluate logic and SRAM performances of advanced CMOS technologies (Bulk, FDSOI, FinFET…) from their technological parameters using conventional CAD tools as ELDO (Mentor) in STMicroelectronics (Crolles, France). Use of this model to benchmark advanced CMOS device structure through logic and SRAM performances evaluation for advanced CMOS technological nodes (sub-20nm).
    Validation of this compact model with numerical simulations (TCAD) and industrial SPICE model (PSP, BSIM, UTSOI).
    Many interactions with integration, modeling and simulation teams. 7 first-author publications (4 in conferences, 3 in journal) and 2 European project deliverables redaction.


    VF
    Développement d’un modèle compact d’évaluation des performances logiques et SRAM des technologies CMOS avancées (Bulk, FDSOI, FinFET…) à partir des paramètres technologiques utilisable avec des outils des CAD conventionnels comme ELDO (Mentor).
    Nombreuses interactions avec les équipes d’intégration, de modélisation et de simulations.
    Rédaction de 7 publications en premier auteur (4 en conférences, 3 en journal) et de 2 rapports de projet européen.
  • STMicroelectronics - R&D enginneer intern / Stage de fin d'étude: Ingénieur R&D

    2009 - 2009 R&D engineer (6 months intern) at STMicroelectronics (Crolles, France): Characterization of proximity effects on the shrink of the CMOS-45 technology: test program of electrical characterization implementation, result analysis and their communication).

    VF:
    Caractérisation des effets de proximité du shrink de la technologie CMOS-45 (rédaction de programme de tests de caractérisation électrique, analyse des résultats et leur communication).

Formations

Réseau

Annuaire des membres :