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Ngoc Bich NGUYEN

Brest Cedex 3

En résumé

Mes compétences :
AB INITIO
Electronique
Hydrogène
Microélectronique
Nanomatériaux
Optoélectronique
Photonique
Physique
Physique du solide
Stockage
Transport

Entreprises

  • Université de Bretagne Occidentale - Ingénieur de recherche - postdoctorante

    Brest Cedex 3 2010 - 2011 Missions :
    - Faire de la veille technologique
    - Déterminer les alliages capables de stocker d’avantage hydrogène
    • Construire 14 modèles d’alliages de V ou Fe avec un métal (Sc, Ti, Cr, Mn, Co, Ni)
    • Insérer deux atomes H dans chaque modèle et relaxer les structures atomiques
    • Calculer les distances interatomiques (H-H, H-métal)
    • Calculer l’énergie d’insertion de l’hydrogène pour chaque matériau
    • Calculer les structures électroniques de chaque matériau
    - Etudier les propriétés de transport de nanofils de Fer
    • Déterminer l’état fondamental des chaînes atomiques de Fe
    • Créer des modèles de dimères et des chaînes atomiques équidistantes
    • Construire les modèles des électrodes (4 atomes de Fe)
    • Calculer le coefficient de transmission et la courbe I-V


    Résultats :
    - Mise en évidence de la forte capacité de stockage de l’hydrogène de l'alliage Fe-Ti
    - Preuve que les nanofils équidistants sont plus favorables pour les applications spintroniques
    - Rédaction de deux articles scientifiques (en cours)
    - Collaboration avec les chercheurs à l’institut de matériaux de Nantes (IMN) et à
    l’université Valladolid (séjours à Nantes et à Valladolid)

  • Centre de Recherche sur les ions, les matériaux et la photonique, Caen - Allocataire de recherche

    2006 - 2009 Missions :
    - Faire de la veille technologique
    - Construire des modèles de nanograins de silicium (Si) avec différents paramètres
    - Réaliser les calculs pour relaxer les structures atomiques (jusqu’à 3000 électrons)
    - Calculer les structures électroniques et les spectres d’absorption optique
    - Proposer une approche pour calculer l’énergie de luminescence émise par ces modèles
    par l’intermédiaire du déplacement de Stokes
    - Modifier des modèles en ajoutant un atome terre rare (Er) en différentes positions par
    rapport au nanograin de Si et relaxer les modèles.
    - Calculer l’énergie de formation correspondante à chaque configuration
    - Calculer les niveaux électroniques dus à l’atome Er

    Résultats :
    - Preuve que l’origine de l’émission à 800 nm (1,5 eV) des nanograins de silicium
    dans la silice est due à la liaison pontante Si-O-Si
    - Preuve que le transfert d’énergie est le plus efficace lorsque la terre rare est en
    substitution d’un Si à la surface du nanograin
    - Présentation des résultats de recherche lors de 3 conférences internationales
    - Publication de 3 articles scientifiques (dont 1 en cours) - Journal of Physics:
    Condensed Matter, Vol. 20, p. 455209
    - Publication du manuscrit de la thèse aux Editions Universitaires Européennes: Structures atomiques et électroniques, ISBN 978-6131512421

  • Institut Néel (GRENOBLE 38) - Stagiaire

    2006 - 2006 Missions :
    - Calculer la structure électronique du graphène, du graphite et de la surface SiC
    - Calculer la structure électronique de l’interface graphène/SiC et la comparer avec celle
    du plan de graphène libre


    Résultat :
    - Preuve que le substrat SiC modifie fortement la structure électronique du plan de
    graphène
    - Publication d’un article - Physical Review Letters, Vol. 99, p. 126805

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