Mes compétences :
Diodes
Microelectronics
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Photonique
Electronique
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Physique
R&D
Laser
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Optoélectronique
Entreprises
3S PHOTONICS
- Ingénieur Analyse de défaillance
Nozay2012 - 2014Recherche et développement
Intitulé de l'intervention : Étude de la dégradation et de l'analyse de défaillance de diodes laser de puissance spatialement mono-mode émettant à 980nm
Objectif(s) :
* Analyse d'une technologie de diodes laser mature émettant à 980 nm non-encapsulées (CSE Composant sur embase) destinées à des applications sous-marines.
o Mise en place de bancs de mesure adaptés aux diodes laser 980 nm en CSE
o Caractérisations classiques des diodes laser (I(V), Spectre, L(I))
o Recherche de caractérisations électro-optiques fines pour les composants
* Modélisation des caractéristiques I(V) directe et inverse
Réalisation(s) :
* Analyse de la technologie (État de l'art de diodes laser 980 nm et des techniques de caractérisation actuelles)
* Développement d'un banc de mesures électro-optiques adapté aux diodes laser 980 nm en configuration CSE :
o Réalisation DUT avec système d'alimentation sous pointes et intégrant un système de contrôle de température de type Peltier
o Développement d'un système optique pour la mesure simultanée du DoP, spectre et puissance optique
o Métrologie du banc
o Caractérisation d'un lot de 100 diodes laser avant et après vieillissement (température-courant) en régime direct à faibles niveaux de courant et inverse jusqu'au claquage VBR et analyse de résultats :
* Mise en évidence d'atypismes dans la caractéristique I(V) en régime inverse
* Mise en place de la mesure du monitoring du courant en fonction du temps pour
une tension donnée
* Mesure de l'influence de la largeur de la fenêtre non-pompée à la facette avant sur la température d'une diode laser 980 nm CSE par mesure de thermoréflectance :
* Comparaison de la mesure de la variation de réflectivité entre des diodes laser 980 nm ayant une fenêtre non-pompée (UPW UnPumped Window) différente et mesure du COD
* Développement d'un banc de mesure du bruit aux basses fréquences :
o Mesure de la densité spectrale de bruit en courant de diodes laser 980 nm polarisés en régime direct et inverse
Environnement(s) technique(s) :
* Mathématique : Excel ;
* Instrumentation : Analyseur de paramètres de semiconducteur, Analyseur de spectre, Oscilloscope, Spectromètre optique, Générateur de signaux, Sphères intégrantes et éléments optiques, Contrôleur de température (TEC+Peltier+Sonde PT100)
ADERA - Laboratoire IMS
- Ingénieur d'étude
2011 - 2012Domaine de compétences : Recherche- Suite du stage de fin d'études
Intitulé de l'intervention :
- Caractérisation en température d'une nouvelle architecture d'optocoupleur pour des applications spatiales ( Collaboration IMS-Innoptics-CNES)
- Cathodoluminescence en mode résolu en longueur d'onde pour l'expertise
des composants optoélectroniques et hyperfréquences (Collaboration IMS-CNES-INSA)
Objectif(s) :
* Evaluation de l'effet de la température sur le CTR d'un optocoupleur intégrant un VCSEL pour remplacer une LED, réalisé durant le stage de fin d'études
* Analyse par cathodoluminescence de diodes laser en configuration CSE après vieillissement en collaboration avec l'INSA (Toulouse)
Réalisation(s) :
* Mis en place du système de mesure de l'optocoupleur soumis à des contraintes de température
* Validation de la tenue en température de l'optocoupleur jusqu'à 75°C avec monitoring du courant IC, IDL et du CTR
* Accompagnement dans les mesures de cathodoluminescence effectuées à l'INSA (Toulouse)
Environnement(s) technique(s) :
* Mathématique : Excel ;
* Instrumentation : Utilisation d'un MEB pour la mesure de cathodoluminescence, Pico-ampèremètre ;
Laboratoire IMS - CNES (Toulouse)
- Stage de fin d'étudesd (Master2)
2011 - 2011Sujet : Étude de la faisabilité d'une nouvelle architecture d'optocoupleurs intégrant une source de type Laser pour des applications spatiales
Objectif(s) :
* Étude de la faisabilité de la nouvelle architecture d'optocoupleurs proposée et comparaison avec une architecture intégrant une LED pour des applications spatiales
* Choix d'une architecture à faible consommation et fort CTR :VCSEL+Phototransistor
* Évaluation de la tenue aux radiations ionisantes (protons) de l'optocoupleur
Réalisation(s) :
* Analyse de différentes architectures d'optocoupleurs existantes dans le marché mondial (état de l'art) et choix des composants (VCSEL, LED, Phototransistor) durcis aux radiations pour l'étude
* Mise en place d'un banc de mesure permettant la caractérisation des composants (LED, VCSEL,Phototransistor) séparément et couplés optiquement
* Caractérisation des composants (VCSEL, LED, Phototransistor) avant irradiation (Gummel Plot et P(I), I(V), CTR en fonction de la température )
* Caractérisation des composants (VCSEL, LED, Phototransistor) après irradiations avec protons (Co60, 60 MeV, différentes fluences) à 25 °C
* Validation de l'architecture pour le développement d'un prototype de composant (à la suite du stage)
* Rédaction des livrables pour le CNES
* Rédaction du manuscrit final (Mémoire de fin Master)
Environnement(s) technique(s) :
* Mathématique : Excel ;
* Instrumentation : Analyseur de paramètres de semiconducteurs, sphère intégrante
Laboratoire IMS
- Stage volontaire
2010 - 2010Sujet : Caractérisation électrique de condensateurs céramiques
Objectif(s) et Réalisation :
* Prise en main et métrologie du banc de mesures
* Mesures d'impédance des condensateurs
* Rédaction du rapport de mesures incluant le protocole de mesures et la métrologie ;
Laboratoire IMS - Université de Cagliari (Italie)
- Stage de fin de Licence
2007 - 2008Sujet : Caractérisation électro-optique de photodiodes et phototransistor destinés à fonctionner en environnement spatial
Objectif(s) :
• Étude des contraintes spatiales
• Caractérisation de photodiodes et de phototransistors avant et après irradiations aux rayons gamma et protons
Réalisation(s) :
• Mesure des caractéristiques électro-optiques de photodiodes et phototransistors avant et après irradiations aux rayons gamma et protons :
o Mesure du courant d'obscurité des composants
o Gummel plot des phototransistors
o Mesure du I(V) des photodiodes
o Mesure du bruit RIN (Relative Intensity Noise) des photodiodes
o Temps de réponse dynamique des photodiodes
o Mesure du spectre d'absorption des composants
o Micro-section des composants
• Rédaction du manuscrit final (Mémoire de fin licence)
Doctorat de recherche avec la société 3SPhotonics en collaboration avec le laboratoire de l'Intégration du Matériaux au Système (IMS) de Bordeaux.
Sujet de recherche : « Étude de la dégradation et analyse de défaillance de diodes Lasers de puissance spatialement mono-mode émettant à 980nm »
