ALTIS SEMICONDUCTOR
- INGENIEUR DES PROCEDES
2000 - 2011
Depuis 2000
Ingénieur des procédés : ALTIS Semiconductor, alliance entre IBM et Infineon (Corbeil Essonnes)
2009 - 2010 Développement et mise en place d’un nouveau procédé en production (dépôt CVD)
-Mise en place d’un nouveau procédé de dépôt thermique CVD (PSG) sur la technologie C11 0.13µm cuivre (50% de la production), résolution de problèmes techniques (exo diffusion du phosphore), simplification et réduction du coût du procédé (suppression du bore du film BPSG, TEB11), suivi et amélioration du procédé (déposer moins pour polir moins)
-Projet de densification de la ligne de production, suppression et déménagement d’équipement de production sans perturber la cadence de production
-Gestion d’un équipement particulièrement capacitif (PRODUCER AMAT), capable de faire 600 tranches par jour (60% de la production), dépôt nitrure PECVD et dépôt PSG CVD thermique
2008 Qualification d’équipement R&D pour la production, projet pour un produit CBRAM (gravure plasma)
-Transfert des équipements R&D en PRODUCTION (AMAT DPS2 et LAM HPT) pour soulager les points bloquants de la production en terme de capacité
-Analyse des risques et cotation AMDEC sur les procédés de gravure, utilisation logiciel TDC200
-Cotation AMDEC moyen pour les équipements de gravure
-Etude et analyse de faisabilité d’un produit CBRAM pour un nouveau client, réalisation des premiers lots
-Mise en place d’un procédé BKM ALTIS pour la gravure du stack CBRAM que j’ai développé en 2007
2003 - 2007 R&D, projet MRAM & CBRAM (mémoires nouvelles générations)
-Responsable du développement et de la mise en place de nouveaux procédés de gravure plasma
Matériaux MRAM : magnétique (CoFe,CoFeBr,PtMn,IrMn), barrière (Al2O3,MgO,CuRu), métal (TiN,TaN)
Matériaux CBRAM : chalcogénide (GeSe, GeS, GeS2), métal (Cu, Ru, Ti, TiN, Ta, AgTa, Ag)
-Introduction de ces nouveaux matériaux dans la ligne de production
-Mise en place de schémas d’intégration pour ces nouvelles technologies, transfert de certains procédés
-Démarrage d’équipements spécifiques avec le fournisseur AMAT
-Résolution de problèmes techniques (masque TiN épais, MgO, oxydation Ti, Cu, Ag, mobilité de l’argent, résidus de gravure, résolution des motifs, utilisation du sputtering argon, cohabitation des différents procédés, conditionnement et nettoyage des équipements), amélioration continue des procédés de fabrication pour atteindre les objectifs de rendement sur le produit test
-Rédaction de rapport technique et de brevet pour ALTIS, INFINEON et QIMONDA
2000 - 2003 Support et suivi de la ligne de production, transfert de technologie
-Responsable du support et du suivi de la ligne de production
-Développement, lancement en production puis optimisation des procédés de gravure
-Intégration des technologies IBM et Infineon
-Formation des opérateurs et techniciens
-Déplacement de 3 mois à Villach en Autriche (INFINEON) pour démarrer un nouvel équipement SHIBORA avec un procédé spécifique de gravure d’une résine pour la réalisation d’un transistor de puissance
