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Côme DE BUTTET

PARIS

Electionseuropéennes 2024

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En résumé

De formation ingénieur généraliste, spécialisé dans physico chimie des matériaux, j'ai évolué notamment vers le secteur de la microélectronique: le dépôt et la caractérisation de couches minces, à la fois d'isolants diélectriques, mais aussi de métaux.
Puis le polissage mecanico chimique de ces mêmes couches minces.
Aujourd'hui je m'oriente sur les traitements de surfaces par voie chimiques et le retrait des résines photosensibles.

Mes compétences :
6 SIGMA
Chimie
Chimie inorganique
CMP
Couches minces
CVD
Kaisen
Lean
Lean 6 sigma
matériaux
Microélectronique
Pvd
Semiconducteur

Entreprises

  • CEA LETI - Research engineer

    PARIS 2011 - maintenant Traitement de surfaces par voie chimique. Etude de compatibilité chimie/matériaux pour le développement des technologies FDSOI et bulk 28nm

    Thématique de recherche: retrait des résines implantées grâce a des procédés chimiques novateurs.

  • CEA-Leti - Research engineer

    GRENOBLE 2007 - 2011 CMP (Chemical Mechnical Polishing)

    Developpement et amélioration des procédés de planarisation mecano-chimique de couches d'oxide de silicium (PMD) pour les technologies de fabrication de circuits intégrés 45nm et 32nm.

  • Freescale semiconductor - R&D engineer

    Toulouse 2003 - 2007 Centre commun de recherche en microélectronique de Crolles2

    2005 - 2007 : Groupe de dépôts par voie chimique (CVD)

    Elaboration du cahier des charges et evaluation d'une machine de dépôts de couches minces. (SACVD)

    Etudes et caractérisations des couche de SiO2 produites: travaux sur l'influence du stress sur les performances des transistors CMOS.

    Définitions et innovations en termes de stratégie de remplissage des tranchées (STI) d'isolations des transistors CMOS.


    2003 - 2005 : projet MRAM

    Suivi du transfert technologique de fabrication de memoires magnétiques sur silicium (MRAM).

    Travaux sur le magnétisme, et notamment sur les jonctions tunnelles magnétiques hybrides AlO/MgO (en collaboration avec l'université Henri Poincarré - Nancy I)

  • ST Microelectronics - R&D engineer

    2003 - 2003 Centre commun de recherche de crolles2:

    2003: Groupe des dépôts métalliques par voie physique (PVD):

    Responsable des tests d'acceptation d'une machine de dépôts de couches minces TaN/Ta/Cu (barrière "seed").

    Caractérisations physico-chimique de couches produites par diffractions des rayons-X, ellipsométrie, angle de contact, etc...

  • ENEA - Univ. la Sapienza - Ingénieur stagiaire

    2002 - 2002 4 mois - Projet commun entre la faculté d'ingéniérie de la Sapienza (Rome) et l'ENEA (Ente Nazionale per l'Energia et l'Ambiente):

    Conception, modélisation et fabrication d'un capteur de température cryogénique à base de fibre optique de Bragg encapsulé dans une matrice de zinc.

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