STMicroelectronics
- Senior Principal Engineer - Senior Member of Technical Staff
2016 - maintenantCrolles 300mm, France. Gestion de projets R&D dans le domaine des matériaux pour les mémoires avancées.
STMicroelectronics
- Principal Engineer
2012 - 2015Alliance IBM, Albany NY USA. Alliance internationale pour les technologies CMOSFET avancées et comprenant entre autre IBM, Samsung, Global Foundries et ST. Assignee STMicroelectronics.
Expertise matériau pour les technologies FinFET 10 et 7 nm. Développements de modèles physique pour les dispositifs à canaux riche en germanium (transport électronique, mécanique élastique, dislocations, activation et diffusion) . Utilisation extensive d'outils de calcul et simulation numérique.
En charge du projet stressors pour le 10nm UTBB FDSOI visant à doubler les gains de mobilité par rapport à la génération précédente (6p).
STMicroelectronics
- Senior Member of Technical Staff
2006 - 2012Crolles 300mm, France. En charge du projet "pattern effect" en 45nm visant à améliorer la dispersion de composants sensible aux variations de layout (transistors, résistances etc) (7p). Le groupe à travaillé de la modélisation multi-physique des variations induites par les recuits et les dépôts jusqu'à la mise en place de règles de dessins modifiées qui ont été généralisées dans l'industrie.
Développement de modules de mise en contrainte du canal comme la "stress memorization technique".
Encadrement d'étudiants en thèse dans le domaine des matériaux avancés.
Gestion de projets de recherche nationaux et internationaux avec des Universités et des partenaires institutionnel comme le LETI dans le domaine des matériaux et de la caractérisation avancée.
STMicroelectronics
- Member of technical staff
2004 - 2006Crolles 300mm, France. Développement de procédés de dépôt avancés pour diverses applications dans le domaine de la microélectronique.
Développement de modules de mise en contrainte du canal, pour le noeud 65nm haute performance et le 45nm.
Encadrement d'étudiants en thèse dans le domaine des matériaux avancés.
Participation et gestion de projets de recherche nationaux et internationaux avec des Universités et des partenaires institutionnel comme le LETI.
STMicroelectronics
- R&D expert & project manager
2000 - 2004Crolles 200mm, France. Développement de procédés de dépôt de films minces pour des plateformes CMOS, pour les nœuds 120, 90 et 65nm.
Optimisation des procédés de dépôt des films de nitrure de silicium en terme de propriétés diélectrique, mécanique et optique en fonction des applications. Gestion du module spacer/jonction pour le nœud 90nm. Développement des procédés à faible bilan thermique pour le nœud 65nm et de stressors pour l'amélioration des performances des dispositifs.
Philips
- Ingénieur R&D
Suresnes1995 - 2000Développement de procédés dans le domaines des tubes cathodiques (technique du vide, canons à électron)
Gestion de projets de plateforme tube cathodique Europe
