Frederic BREUGNOT

En résumé

Entreprises

• Altis Semiconductor - Engineering Director

  2013 - maintenant o Intégration, industrialisation et montée en volume (technologies & produits)
  o Mise en place du groupe interface technique clients
  o Support « engineering » à la ligne de production (résolution de problème, programme de flexibilité,…)
  o Amélioration Coût / Qualité / Délai et gestion du budget
  

• ALTIS Semiconductor - Chef de Département : management de programmes de transfert technologique, intégration et optimisati

  2010 - 2013 o Gestion des différents programmes de transfert technologique lors de la création d’Altis Semiconductor (180nm CSOI7RF, 180nm 7RF, 130nm H9A, 130nm NVM -Flash & CBRAM-, …)
  o Méthodologie d’analyse des données pour la résolution de problèmes ou déviations
  

• ALTIS Semiconductor - Chef de Département : intégration des procédés, amélioration de rendement et analyse de défaillances

  2003 - 2010 o Préparation à la transition stratégique d’Altis (IBM-Infineon Joint-Venture  Altis Semiconductor Compagnie autonome & étude de transferts technologiques)
  o Intégration et optimisation des procédés des technologies en production (0,25µm ; 180nm avec les options Flash, eDRAM et RF)
  o Introduction et qualification de la plateforme technologique 130nm Logique, RF, LS
  o Task-force d’amélioration des rendements (Altis / Infineon / IBM / PDF solution) sur la plateforme technologique 130nm
  o Amélioration continue (Qualité / Stabilité / Coût)
  

• ALTIS Semiconductor - Chef de Département, test, analyse et caractérisation produit

  1999 - 2013 o Amélioration continue des rendements (taux de rebus, réduction de la densité de défauts) et du contrôle des paramètres électriques critiques
  o Modélisation des rendements et création de l’offre client en fonction des produits
  o Caractérisation produit (tests fonctionnels et paramétriques) et de la disponibilité des données
  

• IBM - Ingénieur de liaison et de transfert de technologies entre IBM Corbeil et IBM US (IBM, R&D Center, E

  Bois-Colombes 1997 - 1999 Poste basé a IBM Microelectronics R&D Center, East Fishkill NY USA
  
  o Support au transfert de la technologie cuivre 180nm Logique & DRAM à IBM Corbeil
  o Mise en œuvre du programme de synchronisation des résultats et des paramètres entre les deux sites & organisation des échanges techniques
  o Caractérisation électrique et analyse des rendements pour les mémoires DRAM (64-256M) pour l’alliance R&D IBM-Siemens-Toshiba
  

• IBM - Chef de service du Laboratoire d’analyse de défaillance

  Bois-Colombes 1995 - 1997 Support d’analyse de défaillance sur les produits DRAM pour mettre en évidence les défauts majoritaires et participer à la définition des actions correctives pour l’amélioration des rendements

• IBM - Ingénieur analyste de défaillance

  Bois-Colombes 1991 - 1995 Responsable technique au sein du Laboratoire d’analyse de défaillance en charge de la caractérisation électrique sous pointe, de l’innovation technique, de la coordination des activités et des échanges techniques avec les clients
  

• SGS Thomson - Stagiaire

  1989 - 1989 Centre de Design Aix en Provence
  Design de Circuits
  (2 Brevets déposés)
  

Formations

• Essec

  Paris La Défense 2010 - 2011 Mastere
  
  Félicitations du jury

• CALTECH, California Institute Of Technology

  Pasadena, California 1989 - 1990 Master of Science

• Ecole Superieure D'Ingenieur En Electrotechnique Et Electronique (ESIEE - Paris)

  Noisy Le Grand 1985 - 1989 Ingénieur

Réseau

• Christophe BENDIF

• Christophe GIRARD

• Jean-Luc DECOLLE

• Jerome LE GALL

• Nadia ANNABI

• Nathanael MOREAUD

• Olivier RICHARD

• Pascal HENRY

• Philippe GOUSSARD

• Thierry GUILLEMOT