INSA Lyon
- Professeur
Villeurbanne Cedex
2001 - maintenant
Georges Brémond , Professeur en opto-électronique, électronique, optronique et systèmes à l’INSA de Lyon depuis 2001 dans l’Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL-UMR CNRS 5270). Au cours de son Doctorat d’Ingénieur (1981) et son Doctorat d’Etat (1988), il développe des techniques de spectroscopie électro-optique qu’il applique à l’étude de la physique des centres profonds dans les semi-conducteurs composés de type III-V et II-VI. En tant que chargé de Recherche au CNRS de 1983 à 2001, il a contribué au développement de la filière matériau InP pour la micro et l’optoélectronique, et, par la suite, aux matériaux semi-conducteurs massifs photoréfractifs ( InP, CdTe). Entre 1991 et 1998, il étudie les propriétés optiques et électroniques des hétérostructures SiGe/Si et leurs intégrations dans les composants de la microélectronique (TBH, MOSFET) et de l’optoélectronique (photodétecteur, photovoltaïque). A partir de 1996, il prend en charge la responsabilité du groupe « Matériaux et Composants Micro-Optoélectronique » du laboratoire de Physique de la Matière de l’INSA de Lyon. Actuellement, son activité se concentre sur l’étude de nanostructures et boites quantiques IV-IV et III-V pour des composants de la nanoélectronique et de l’optoélectronique. Il est en charge depuis 2001 de la coordination du CLAMS, une plate-forme de nanoscopie par microscopie à force atomique au sein de l’INSA, regroupant 6 laboratoires et une quinzaine de chercheurs et doctorants. Il y développe les modes de mesures électriques par microscopie à force atomique (AFM) pour sonder très localement les propriété électriques et électroniques de nanostructures de semi-conducteurs et coordonne, dans l’INL, une opération de recherche sur le développement des techniques de nanocaractérisation. Il a créer une nouvelle thématique permettant la nanofabrication par nano-oxydation et par nanomanipulation sous pointe AFM pour concevoir des dispositifs démonstrateur d’effets physiques nouveaux ( localisation de boite quantique InAs pour émetteur à 1 boite quantique ; transistor à un électron). Depuis 2003, il s'est engagé dans l’étude des cellules photovoltaïques à haut rendement ou il a coordonné de 2006 à 2009 un projet ANR-PV (DUOSIL) sur cette thématique. Actuellement membre de l’équipe « Spectroscopie et nanomatériaux » de l’INL, il étudie les propriétés électroniques des nanosondes fluorescentes Si et SiC et des nanofils de semiconducteur III-V (InP) et II-VI (ZnO). L’ensemble de son activité de recherche a donné lieu à plus de 232 publications dans les revues scientifiques et actes de colloques.
